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        介紹集成電路電磁兼容測試的兩種方法

        -2019-10-30-

          介紹集成電路電磁兼容測試的兩種方法

          1.引言

          集成電路相關技術作為具有發展前景的技術,已經成為世界具有發展前景的高科技技術,一個國的集成電路發展水平能衡量整體的科技水平,目前受到國的高度重視,特別是關于集成電路的芯片研發領域。

          近年來,國內越來越多的科研機構、高校院所、IC企業研發部門等逐步關注和從事集成電路的電磁兼容性(ICEMC)研究。

          目前關于ICEMC的相關研究國外起步較早,發展較快,已經形成比較完善的理論體系以及先進的測試研究設備,像歐洲的法國、德國、美國等,亞洲的韓國、日本,新加坡。

          國內的相關的ICEMC研究目前集中于高校院所,如國防科技大學、浙江大學、解放軍信息工程大學、中科院微電子所等,近年來也取得了重要成果。

          2.電磁敏感度

          電磁兼容性分為電磁干擾(EMI)和電磁敏感度(EMS)。簡單的說,EMI指的是待測設備影響其它設備正常工作產生的電磁輻射,EMS指的是設備抵御外界電磁輻射干擾的能力。

          目前關于電磁敏感度測試分為多個項目,如傳導、輻射、靜電放電、電快速脈沖群、浪涌等。本文介紹其中兩種測試方法。

          3.電磁敏感度測試方法

          3.1傳導抗擾度

          傳導抗擾度測試主要分為直接功率注入法、大電流注入法。這里介紹直接功率注入法。

          直接功率注入法,通過干擾源產生干擾脈沖,經過功放、定向耦合器、注入網絡,進而注入電磁兼容測試設備。通過失效判據來判斷設備的功能狀態,確定注入電壓的大小,具體配置參考IEC62132。

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